CENELEC
International Standards and Conformity Assessment
for all electrical, electronic and related technologies
CLC/SR 47 |
Halbleiterbauelemente |
CLC/SR 47 Arbeitspapiere
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Verweis,Titel
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Downloads
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Circulation date
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Termin
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Abstimmung / Einspruche
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IEC parallele Abstimmung
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FprEN 60749-7:2009 (pr=22606) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen |
 EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-7:2011 (pr=22606) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-15:2009 (pr=22407) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage |
EN |
2009-09-28 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 60749-15:2010 (pr=22407) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-19:2003/FprA1:2009 (pr=22602) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-19:2003/FprA1:2009 (pr=22602) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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prEN 60749-20:2007 (pr=21363) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme |
EN |
2007-12-04 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 60749-20:2008 (pr=21363) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme |
EN |
2008-11-18 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 60749-20-1:2009 (pr=21364) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind |
EN |
2009-03-24 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-20-1:2007 (pr=21364) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind |
EN |
2007-12-04 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 60749-21:2011 (pr=22642) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-21:2009 (pr=22642) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-23:2004/FprA1:2009 (pr=22603) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-23:2004/FprA1:2009 (pr=22603) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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prEN 60749-26:2006 (pr=16717) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) |
EN |
2006-06-06 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-27:2006 (pr=16710) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) |
EN |
2006-06-06 | Procedure Result | Yes | |
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EN 60749-27:2006/FprA1:2012 (pr=23706) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-27:2006/FprA1:2011 (pr=23706) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-29:2011 (pr=22643) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-29:2009 (pr=22643) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-30:2005/FprA1:2009 (pr=22605) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-30:2005/FprA1:2009 (pr=22605) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-32:2003/FprA1:2009 (pr=22604) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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EN 60749-32:2003/FprA1:2009 (pr=22604) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-34:2010 (pr=22649) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-34:2009 (pr=22649) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung |
EN |
2010-02-15 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-35:2006 (pr=16936) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik |
EN |
2006-07-03 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-37:2007 (pr=17164) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes |
EN |
2007-12-18 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-37:2005 (pr=17164) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes |
EN |
2006-05-23 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-38:2007 (pr=20852) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher |
EN |
2008-01-14 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-38:2006 (pr=20852) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher |
EN |
2007-01-15 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 60749-39:2006 (pr=17008) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden |
EN |
2006-06-06 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 60749-40:2011 (pr=22946) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 60749-40:2010 (pr=22946) Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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prEN 62047-1:2005 (pr=16905) Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen |
EN |
2006-05-03 | Procedure Result | No | |
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prEN 62047-2:2006 (pr=16781) Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen |
EN |
2006-07-24 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 62047-3:2006 (pr=16782) Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung |
EN |
2006-07-24 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62047-4:2008 (pr=21277) Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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prEN 62047-4:2007 (pr=21277) Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik |
EN |
2007-10-05 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62258-1:2008 (pr=21875) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62258-2:2011 (pr=22625) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62258-2:2009 (pr=22625) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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CLC/prTR 62258-4:2006 (pr=20584) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten |
EN |
2007-04-20 | Procedure Result | Yes | |
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CLC/FprTR 62258-4:2010 (pr=23112) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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CLC/FprTR 62258-4:2010 (pr=23112) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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CLC/prTR 62258-7:2006 (pr=17149) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 7: XML-Schema für den Datenaustausch |
EN |
2006-10-31 | Procedure Result | Yes | |
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CLC/prTR 62258-8:2007 (pr=21490) Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 8: EXPRESS-Modell-Schema für den Datenaustausch |
EN |
2008-01-25 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 62373:2006 (pr=16785) Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) |
EN |
2006-06-12 | Procedure Result | Yes | |
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prEN 62374:2006 (pr=16921) Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten |
EN |
2007-01-18 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62374-1:2010 (pr=22076) Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62374-1:2008 (pr=22076) Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen |
EN |
2009-03-24 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62415:2010 (pr=22032) Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62415:2008 (pr=22032) Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration |
EN |
2009-03-02 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62416:2010 (pr=22033) Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62416:2008 (pr=22033) Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren |
EN |
2009-03-02 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62417:2010 (pr=22034) Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) |
EN |
2010-04-06 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62417:2008 (pr=22034) Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) |
EN |
2009-03-02 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62418:2009 (pr=22241) Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration |
EN |
2009-07-20 | Procedure Result | Yes | |
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FprEN 62418:2010 (pr=22241) Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration |
EN |
Procedure Result | Yes | ||
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FprEN 62483:2012 (pr=24129) Umweltbezogene Annahmeanforderungen von Oberflächenbeschichtungen aus Zinn oder Zinnlegierungen hinsichtlich der Anfälligkeit für Zinnwhisker |
EN |
Procedure Result | Yes |
CLC/SR 47 Dokumente unter Abstimmung
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Verweis,Titel
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Downloads
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Circulation date
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Termin
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Type
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IEC parallele Abstimmung
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Sonstige Dokumente accessible to CLC/SR 47
Verweis,Titel | Downloads |
|---|---|
Definitive Text - EN 60749-13:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre | |
Definitive Text - EN 60749:1999 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren |  |
Definitive Text - ES 59008-5-3:2001 | |
Definitive Text - EN 60749-14:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse) | |
Definitive Text - EN 62373:2006 Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) | |
Definitive Text - EN 62373:2006 Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) | |
Definitive Text - EN 62373:2006 Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) | |
Definitive Text - EN 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) | |
Definitive Text - EN 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) | |
Definitive Text - EN 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) | |
Definitive Text - EN 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 60749-23:2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur | |
Definitive Text - EN 60749-24:2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung | |
Definitive Text - EN 60749-24:2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung | |
Definitive Text - EN 60749-24:2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung | |
Definitive Text - EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Dichtheit | |
Definitive Text - EN 60749-20:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme | |
Definitive Text - EN 60749-22:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit (Bond strength) | |
Definitive Text - EN 60749-31:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung) | |
Definitive Text - EN 60749-32:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
Definitive Text - EN 60749-35:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik | |
Definitive Text - EN 60749-35:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik | |
Definitive Text - EN 60749-35:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik | |
Definitive Text - EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung | |
Definitive Text - EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung | |
Definitive Text - EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung | |
Definitive Text - CECC 00 804:1996 Leitfaden: Anwendung von 'EN ISO 9000:1994' - Kriterien für die Zuverlässigkeit von elektronischen Bauelementen | |
Definitive Text - EN 60749-37:2008 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes | |
Definitive Text - EN 60749-37:2008 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes | |
Definitive Text - EN 60749-37:2008 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes | |
Definitive Text - CECC 265 001:1998 | |
Definitive Text - EN 60749-3:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 3: Äußere Sichtprüfung | |
Definitive Text - EN 60749-11:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren | |
Definitive Text - EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden | |
Definitive Text - EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden | |
Definitive Text - EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden | |
Definitive Text - EN 165000-5:1997 Integrierte Hybrid- und Schichtschaltungen - Teil 5: Verfahren für die Bauartanerkennung | |
Definitive Text - ES 59008-4-1:2000 | |
Definitive Text - ES 59008-5-1:2001 | |
Definitive Text - ES 59008-5-2:2001 | |
Definitive Text - EN 60749-16:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) | |
Definitive Text - EN 60749-36:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Gleichmäßiges Beschleunigen | |
Definitive Text - EN 60749-18:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) | |
Definitive Text - EN 60749-19:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit | |
Definitive Text - EN 60749-17:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung | |
Definitive Text - EN 60749-6:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur | |
Definitive Text - EN 60749-2:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck | |
Definitive Text - EN 60749-4:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 4: Feuchte Wärme, konstant, Prüfung mit hochbeschleunigter Wirkung (HAST) | |
Definitive Text - EN 60749:1999/A2:2001 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren | |
Definitive Text - EN 60749-9:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 9: Beständigkeit der Kennzeichnung | |
Definitive Text - EN 60749-10:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanisches Schocken | |
Definitive Text - EN 60749-12:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Schwingen, variable Frequenz | |
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Definitive Text - EN 60749-20-1:2009 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind | |
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Definitive Text - EN 62417:2010 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) | |
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Definitive Text - EN 62418:2010 Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration | |
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Definitive Text - EN 60749-20:2009 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme | |
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Definitive Text - EN 60749-19:2003/A1:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit | |
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Definitive Text - EN 60749-29:2003/corrigendum Mar. 2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung | |
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Definitive Text - EN 60749-32:2003/corrigendum Jul. 2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) | |
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Definitive Text - CLC/TR 62258-8:2008 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 8: EXPRESS-Modell-Schema für den Datenaustausch | |
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Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) | |
Definitive Text - EN 60749-23:2004/A1:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur | |
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Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) | |
Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) | |
Definitive Text - EN 62374:2007 Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten | |
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Definitive Text - EN 62374-1:2010 Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen | |
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Definitive Text - EN 62374-1:2010 Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen | |
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Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage | |
Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage | |
Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage | |
Definitive Text - EN 62047-4:2010 Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik | |
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Definitive Text - EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung | |
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Definitive Text - EN 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung | |
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Definitive Text - EN 60749-33:2004 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung | |
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Definitive Text - EN 62258-1:2010 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung | |
Definitive Text - EN 62258-1:2010 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung | |
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Definitive Text - EN 62047-1:2006 Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen | |
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Definitive Text - EN 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen | |
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Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen | |
Definitive Text - EN 62258-2:2011 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate | |
Definitive Text - EN 62258-2:2011 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate | |
Definitive Text - EN 62258-2:2011 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate | |
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten | |
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten | |
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten | |
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2007 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten | |
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2007 Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) | |
