International Standards and Conformity Assessment for all electrical, electronic and related technologies

CLC/SR 47

Halbleiterbauelemente

 
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CLC/SR 47 Arbeitspapiere

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IEC parallele Abstimmung
FprEN 60749-7:2009 (pr=22606)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
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FprEN 60749-7:2011 (pr=22606)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
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FprEN 60749-15:2009 (pr=22407)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
export to doc file  EN 2009-09-28   Procedure Result Yes
FprEN 60749-15:2010 (pr=22407)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
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EN 60749-19:2003/FprA1:2009 (pr=22602)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
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EN 60749-19:2003/FprA1:2009 (pr=22602)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
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prEN 60749-20:2007 (pr=21363)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
export to doc file  EN 2007-12-04   Procedure Result Yes
FprEN 60749-20:2008 (pr=21363)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
export to doc file  EN 2008-11-18   Procedure Result Yes
FprEN 60749-20-1:2009 (pr=21364)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
export to doc file  EN 2009-03-24   Procedure Result Yes
prEN 60749-20-1:2007 (pr=21364)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
export to doc file  EN 2007-12-04   Procedure Result Yes
FprEN 60749-21:2011 (pr=22642)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
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FprEN 60749-21:2009 (pr=22642)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
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EN 60749-23:2004/FprA1:2009 (pr=22603)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
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EN 60749-23:2004/FprA1:2009 (pr=22603)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
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prEN 60749-26:2006 (pr=16717)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
export to doc file  EN 2006-06-06   Procedure Result Yes
FprEN 60749-26:2013 (pr=25085)
Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
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prEN 60749-27:2006 (pr=16710)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
export to doc file  EN 2006-06-06   Procedure Result Yes
EN 60749-27:2006/FprA1:2012 (pr=23706)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
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EN 60749-27:2006/FprA1:2011 (pr=23706)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
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FprEN 60749-28:2013 (pr=24646)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Direct Contact Charged Device Model (DC-CDM)
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FprEN 60749-29:2009 (pr=22643)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
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FprEN 60749-29:2011 (pr=22643)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
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EN 60749-30:2005/FprA1:2009 (pr=22605)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
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EN 60749-30:2005/FprA1:2009 (pr=22605)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
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EN 60749-32:2003/FprA1:2009 (pr=22604)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
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EN 60749-32:2003/FprA1:2009 (pr=22604)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
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FprEN 60749-34:2010 (pr=22649)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
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FprEN 60749-34:2009 (pr=22649)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
export to doc file  EN 2010-02-15   Procedure Result Yes
prEN 60749-35:2006 (pr=16936)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
export to doc file  EN 2006-07-03   Procedure Result Yes
prEN 60749-37:2007 (pr=17164)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
export to doc file  EN 2007-12-18   Procedure Result Yes
prEN 60749-37:2005 (pr=17164)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
export to doc file  EN 2006-05-23   Procedure Result Yes
prEN 60749-38:2007 (pr=20852)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
export to doc file  EN 2008-01-14   Procedure Result Yes
prEN 60749-38:2006 (pr=20852)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
export to doc file  EN 2007-01-15   Procedure Result Yes
prEN 60749-39:2006 (pr=17008)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden
export to doc file  EN 2006-06-06   Procedure Result Yes
FprEN 60749-40:2011 (pr=22946)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
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FprEN 60749-40:2010 (pr=22946)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
export to doc file  EN   Procedure Result Yes
FprEN 60749-42:2013 (pr=24648)
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 42: Lagerung bei feuchter Wärme
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prEN 62047-1:2005 (pr=16905)
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen
export to doc file  EN 2006-05-03   Procedure Result No
prEN 62047-2:2006 (pr=16781)
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen
export to doc file  EN 2006-07-24   Procedure Result Yes
prEN 62047-3:2006 (pr=16782)
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung
export to doc file  EN 2006-07-24   Procedure Result Yes
FprEN 62047-4:2008 (pr=21277)
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
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prEN 62047-4:2007 (pr=21277)
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
export to doc file  EN 2007-10-05   Procedure Result Yes
FprEN 62258-1:2008 (pr=21875)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung
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FprEN 62258-2:2011 (pr=22625)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate
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FprEN 62258-2:2009 (pr=22625)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate
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CLC/prTR 62258-4:2006 (pr=20584)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
export to doc file  EN 2007-04-20   Procedure Result Yes
CLC/FprTR 62258-4:2010 (pr=23112)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
export to doc file  EN   Procedure Result Yes
CLC/FprTR 62258-4:2010 (pr=23112)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
export to doc file  EN   Procedure Result Yes
CLC/prTR 62258-7:2006 (pr=17149)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 7: XML-Schema für den Datenaustausch
export to doc file  EN 2006-10-31   Procedure Result Yes
CLC/prTR 62258-8:2007 (pr=21490)
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 8: EXPRESS-Modell-Schema für den Datenaustausch
export to doc file  EN 2008-01-25   Procedure Result Yes
prEN 62373:2006 (pr=16785)
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
export to doc file  EN 2006-06-12   Procedure Result Yes
prEN 62374:2006 (pr=16921)
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
export to doc file  EN 2007-01-18   Procedure Result Yes
FprEN 62374-1:2010 (pr=22076)
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
export to doc file  EN   Procedure Result Yes
FprEN 62374-1:2008 (pr=22076)
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
export to doc file  EN 2009-03-24   Procedure Result Yes
FprEN 62415:2010 (pr=22032)
Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
export to doc file  EN   Procedure Result Yes
FprEN 62415:2008 (pr=22032)
Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
export to doc file  EN 2009-03-02   Procedure Result Yes
FprEN 62416:2010 (pr=22033)
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
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FprEN 62416:2008 (pr=22033)
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
export to doc file  EN 2009-03-02   Procedure Result Yes
FprEN 62417:2010 (pr=22034)
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)
export to doc file  EN 2010-04-06   Procedure Result Yes
FprEN 62417:2008 (pr=22034)
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)
export to doc file  EN 2009-03-02   Procedure Result Yes
FprEN 62418:2010 (pr=22241)
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
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FprEN 62418:2009 (pr=22241)
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
export to doc file  EN 2009-07-20   Procedure Result Yes
FprEN 62483:2012 (pr=24129)
Umweltbezogene Annahmeanforderungen von Oberflächenbeschichtungen aus Zinn oder Zinnlegierungen hinsichtlich der Anfälligkeit für Zinnwhisker
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CLC/SR 47 Dokumente unter Abstimmung

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IEC parallele Abstimmung

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Definitive Text - EN 60749-13:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre
Definitive Text - EN 60749:1999
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren
Definitive Text - ES 59008-5-3:2001
 
Definitive Text - EN 60749-14:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse)
Definitive Text - EN 62373:2006
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 62373:2006
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 62373:2006
Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 60749-26:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
Definitive Text - EN 60749-26:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
Definitive Text - EN 60749-26:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
Definitive Text - EN 60749-30:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 60749-30:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 60749-30:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 60749-23:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
Definitive Text - EN 60749-24:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 60749-24:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 60749-24:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 60749-8:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Dichtheit
Definitive Text - EN 60749-20:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
Definitive Text - EN 60749-22:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit (Bond strength)
Definitive Text - EN 60749-31:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung)
Definitive Text - EN 60749-32:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 60749-27:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 60749-27:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 60749-27:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 60749-35:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
Definitive Text - EN 60749-35:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
Definitive Text - EN 60749-35:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
Definitive Text - EN 62047-3:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung
Definitive Text - EN 62047-3:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung
Definitive Text - EN 62047-3:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung
Definitive Text - CECC 00 804:1996
Leitfaden: Anwendung von 'EN ISO 9000:1994' - Kriterien für die Zuverlässigkeit von elektronischen Bauelementen
 
Definitive Text - EN 60749-37:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
Definitive Text - EN 60749-37:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
Definitive Text - EN 60749-37:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
Definitive Text - CECC 265 001:1998
 
 
Definitive Text - EN 60749-3:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 3: Äußere Sichtprüfung
Definitive Text - EN 60749-11:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren
Definitive Text - EN 60749-39:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden
Definitive Text - EN 60749-39:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden
Definitive Text - EN 60749-39:2006
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden
Definitive Text - ES 59008-4-1:2000
 
 
Definitive Text - ES 59008-5-1:2001
 
Definitive Text - ES 59008-5-2:2001
 
Definitive Text - EN 60749-16:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND)
Definitive Text - EN 60749-36:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Gleichmäßiges Beschleunigen
Definitive Text - EN 60749-18:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
Definitive Text - EN 60749-19:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-17:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung
Definitive Text - EN 60749-6:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur
Definitive Text - EN 60749-2:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck
Definitive Text - EN 60749-4:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 4: Feuchte Wärme, konstant, Prüfung mit hochbeschleunigter Wirkung (HAST)
Definitive Text - EN 60749:1999/A2:2001
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren
Definitive Text - EN 60749-9:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 9: Beständigkeit der Kennzeichnung
Definitive Text - EN 60749-10:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanisches Schocken
Definitive Text - EN 60749-12:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Schwingen, variable Frequenz
Definitive Text - EN 60749-25:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel
Definitive Text - EN 60749-1:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 1: Allgemeines
Definitive Text - EN 60749:1999/A1:2000
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren
Definitive Text - EN 60749-5:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Lebensdauerprüfung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung
Definitive Text - CLC/TR 62258-7:2007
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 7: XML-Schema für den Datenaustausch
Definitive Text - CLC/TR 62258-7:2007
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 7: XML-Schema für den Datenaustausch
Definitive Text - EN 62047-2:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen
Definitive Text - EN 62047-2:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen
Definitive Text - EN 62047-2:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen
Definitive Text - EN 60749-38:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
Definitive Text - EN 60749-38:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
Definitive Text - EN 60749-38:2008
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
Definitive Text - CECC 00 801:1990
Vorläufiger Leitfaden: PI-Q-Faktoren für CECC-zugelassene Bauelemente zur Verwendung in Zuverlässigkeitsvorhersagen
 
Definitive Text - EN 60749-20-1:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
Definitive Text - EN 60749-20-1:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
Definitive Text - EN 60749-20-1:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
Definitive Text - EN 62417:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 62417:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 62417:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET)
Definitive Text - EN 62418:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
Definitive Text - EN 62418:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
Definitive Text - EN 62418:2010
Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
Definitive Text - EN 62415:2010
Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
Definitive Text - EN 62415:2010
Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
Definitive Text - EN 62415:2010
Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
Definitive Text - EN 62416:2010
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
Definitive Text - EN 62416:2010
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
Definitive Text - EN 62416:2010
Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
Definitive Text - EN 60749-20:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
Definitive Text - EN 60749-20:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
Definitive Text - EN 60749-20:2009
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
Definitive Text - EN 60749-19:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-19:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-19:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-19:2003/corrigendum Jun. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-19:2003/corrigendum Jun. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-19:2003/corrigendum Jun. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
Definitive Text - EN 60749-29:2003/corrigendum Mar. 2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-29:2003/corrigendum Mar. 2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-29:2003/corrigendum Mar. 2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-32:2003/corrigendum Jul. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 60749-32:2003/corrigendum Jul. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 60749-32:2003/corrigendum Jul. 2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - CLC/TR 62258-8:2008
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 8: EXPRESS-Modell-Schema für den Datenaustausch
Definitive Text - CLC/TR 62258-8:2008
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 8: EXPRESS-Modell-Schema für den Datenaustausch
Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 60749-23:2004/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
Definitive Text - EN 60749-23:2004/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
Definitive Text - EN 60749-23:2004/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 60749-32:2003/A1:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
Definitive Text - EN 62374:2007
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
Definitive Text - EN 62374:2007
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
Definitive Text - EN 62374:2007
Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
Definitive Text - EN 62374-1:2010
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
Definitive Text - EN 62374-1:2010
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
Definitive Text - EN 62374-1:2010
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
Definitive Text - EN 62374-1:2010/AC:2011
Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-15:2010/AC:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 62047-4:2010
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
Definitive Text - EN 62047-4:2010
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
Definitive Text - EN 62047-4:2010
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-15:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-15:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-15:2010
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-15:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
Definitive Text - EN 60749-34:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-34:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
Definitive Text - EN 60749-21:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-21:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-21:2005
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-29:2003
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-7:2002
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
Definitive Text - EN 60749-40:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
Definitive Text - EN 60749-40:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
Definitive Text - EN 60749-40:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
Definitive Text - EN 60749-21:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-21:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-21:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit
Definitive Text - EN 60749-29:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-29:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-29:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung
Definitive Text - EN 60749-33:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 60749-33:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 60749-33:2004
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung
Definitive Text - EN 62258-1:2010
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung
Definitive Text - EN 62258-1:2010
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung
Definitive Text - EN 62258-1:2010
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse – Teil 1: Beschaffung und Anwendung
Definitive Text - EN 62047-1:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen
Definitive Text - EN 62047-1:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen
Definitive Text - EN 62047-1:2006
Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen
Definitive Text - EN 60749-7:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
Definitive Text - EN 60749-7:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
Definitive Text - EN 60749-7:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 60749-30:2005/A1:2011
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
Definitive Text - EN 62258-2:2011
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate
Definitive Text - EN 62258-2:2011
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate
Definitive Text - EN 62258-2:2011
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2013
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2007
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
Definitive Text - CLC/TR 62258-4:2007
Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 4: Fragebogen für Chip-Anwender und -Lieferanten
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 60749-27:2006/A1:2012
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
Definitive Text - EN 165000-5:1997
Integrierte Hybrid- und Schichtschaltungen - Teil 5: Verfahren für die Bauartanerkennung
Definitive Text - EN 165000-5:1997
Integrierte Hybrid- und Schichtschaltungen - Teil 5: Verfahren für die Bauartanerkennung

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